| 專利名稱: | 一種基于SOI量子線的單電子晶體管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064857.X |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101276836 |
| 第一發(fā)明人: | 王 琴 李維龍 賈 銳 劉 明 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種基于SOI量子線的單電子晶體管及其制作方法。本發(fā)明的主要特 征是在SOI襯底上制備量子線，利用金屬柵對量子線的勢壘受限形成隧道 結(jié)和庫侖島，從而降低了微納加工的難度，實(shí)現(xiàn)隧道結(jié)有效尺寸可調(diào)的單 電子晶體管。其主要工藝步驟如下：(a)離子注入及快速退火；(b)電子束光 刻，形成量子線圖形；(c)干法刻蝕，將圖形轉(zhuǎn)移至SOI的頂層硅上；(d) 光刻；(e)蒸發(fā)金屬，剝離，合金；(f)二次電子束套刻，形成柵圖形；(g) 蒸發(fā)柵金屬；(h)剝離，形成金屬柵；采用本發(fā)明方法制備的基于SOI量子 線的單電子晶體管具有工藝難度低，可實(shí)行性高，易于大規(guī)模集成的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出