| 專利名稱: | 凹柵槽的AlGaN/GaN HEMT多層場板器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064863.5 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101276837 |
| 第一發(fā)明人: | 劉果果 劉新宇 鄭英奎 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體材料中微波功率器件技術領域，公開了一種凹柵槽 的AlGaN/GaN HEMT多層場板器件，同時公開了一種制作凹柵槽的 AlGaN/GaN HEMT多層場板器件的方法，該方法基于常規(guī)的AlGaN/GaN HEMT器件制作工藝，在形成源極和漏極的歐姆接觸后，光刻柵圖形，對 柵圖形部分的AlGaN外延層進行刻蝕，蒸發(fā)柵金屬后，先制作柵連接場 板，再制作源連接場板，形成凹柵槽的AlGaN/GaN HEMT多層場板器件。 利用本發(fā)明，有效地提高了AlGaN/GaN HEMT器件的擊穿特性、跨導和 閾值電壓，并在提高器件增益的同時，有效抑制了AlGaN/GaN HEMT器 件的電流崩塌現象。 |
| 其它備注: | |
科研產出