專利名稱: | 一種納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制作方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710064867.3 |
申請(qǐng)日期: | 2007-03-28 |
專利號(hào): | CN101276841 |
第一發(fā)明人: | 王 琴 賈 銳 李維龍 龍世兵 陳寶欽 劉 明 葉甜春 |
其它發(fā)明人: | |
國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書(shū)號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種納米晶浮 柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,采用由硅基底、埋氧層和頂層硅構(gòu)成的絕緣體上硅 (SOI)作為襯底材料,硅基底起支撐作用,埋氧層起絕緣隔離作用,利 用頂層硅形成該納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的源、漏和溝道,在源漏上分 別淀積金屬電極材料形成源極和漏極,在源漏之間的浮柵上淀積多晶硅形 成柵極。本發(fā)明同時(shí)公開(kāi)了一種制作納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法。 利用本發(fā)明,具有工藝靈活,設(shè)備簡(jiǎn)單,成本低廉,并且制備的納米Au 顆粒直徑可控,均勻性好,器件性能優(yōu)良等諸多優(yōu)點(diǎn)。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出