| 專利名稱: | 利用高k介質(zhì)和納米晶浮柵的非易失存儲器及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710099544.8 |
| 申請日期: | 2007-05-24 |
| 專利號: | CN101312212 |
| 第一發(fā)明人: | 胡 媛 劉 明 龍世兵 楊清華 管偉華 李志剛 劉 琦 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種利用高k介質(zhì)和納米晶浮柵 的非易失存儲器，包括：硅襯底1、硅襯底上重?fù)诫s的源導(dǎo)電區(qū)6和漏導(dǎo) 電區(qū)7、源漏導(dǎo)電區(qū)之間載流子溝道上覆蓋的高k材料隧穿介質(zhì)層2、隧 穿介質(zhì)層上覆蓋的納米晶浮柵層3、納米晶浮柵層上覆蓋的高k材料或 SiO2材料控制柵介質(zhì)層4以及控制柵介質(zhì)層上覆蓋的柵材料層5。同時公 開了一種利用高k介質(zhì)和納米晶浮柵的非易失存儲器的制作方法。利用本 發(fā)明，提高了浮柵非易失存儲器的編程/擦除速度、數(shù)據(jù)保持特性、編程/ 擦除耐受性等存儲性能，降低了編程/擦除電壓、操作時間和操作功耗，較 好折衷了編程/擦除效率和數(shù)據(jù)保持的矛盾，提高了集成度，制作工藝簡單， 降低了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出