| 專利名稱: | 一種納米晶浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710099545.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-05-24 |
| 專利號(hào): | CN101312213 |
| 第一發(fā)明人: | 胡 媛 劉 明 龍世兵 楊清華 管偉華 李志剛 劉 琦 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種納米晶浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性 存儲(chǔ)單元，包括：硅襯底1、位于硅襯底1兩端上重?fù)诫s的源導(dǎo)電區(qū)6和 漏導(dǎo)電區(qū)7、源導(dǎo)電區(qū)6與漏導(dǎo)電區(qū)7之間的載流子溝道上覆蓋的隧穿介 質(zhì)層2、覆蓋在隧穿介質(zhì)層上的納米晶電荷存儲(chǔ)層3、覆蓋在納米晶電荷 存儲(chǔ)層上的控制柵介質(zhì)層4以及覆蓋在控制柵介質(zhì)層上的柵材料層5。本 發(fā)明同時(shí)公開了一種制作納米晶浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的方法。利 用本發(fā)明，提高了浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)單元的編程/擦除速度、有效存 儲(chǔ)能力、數(shù)據(jù)保持特性、編程/擦除耐受性等存儲(chǔ)性能，本發(fā)明的方法基于 傳統(tǒng)CMOS工藝，并且制作工藝簡(jiǎn)單，提高了制作效率，降低了制作成本。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出