| 專利名稱: | 一種制作金屬納米晶非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710117613.3 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-06-20 |
| 專利號(hào): | CN101330008 |
| 第一發(fā)明人: | 管偉華 劉 明 龍世兵 李志剛 胡 媛 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種制作金屬 納米晶非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法，該方法包括：A.在半導(dǎo)體襯底上形成一 層介電層；B.利用低能離子注入的方法將金屬離子注入到所述介電層中； C.在惰性氣體中對(duì)所述已經(jīng)注入金屬離子的介電層進(jìn)行熱退火處理，形 成金屬納米晶，作為電荷存儲(chǔ)的節(jié)點(diǎn)。然后，在介電層上執(zhí)行形成柵電極 和源、漏的工藝，制造完整的存儲(chǔ)器晶體管。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單易行，成本 低，效率高，具有與傳統(tǒng)的硅平面CMOS工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)，有利于本發(fā)明 的廣泛推廣和應(yīng)用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出