| 專利名稱: | 一種制作T型HBT發(fā)射極/HEMT柵的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710117615.2 |
| 申請日期: | 2007-06-20 |
| 專利號: | CN101330010 |
| 第一發(fā)明人: | 于進(jìn)勇 金 智 程 偉 劉新宇 夏 洋 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種制 作T型HBT發(fā)射極/HEMT柵的方法，該方法包括：在基片上涂一次光刻 膠，并光刻、曝光、顯影、定義T型HBT發(fā)射極/HEMT柵的下半部分； 烘烤所述基片，使?fàn)奚z的邊角圓滑并固化；涂二次光刻膠，并光刻、曝 光、顯影，制作T型HBT發(fā)射極/HEMT柵的上部分；蒸發(fā)、濺射或電鍍 一層金屬，金屬層的厚度大于一次光刻膠厚度；剝離去除不需要的金屬以 及所有光刻膠，形成T型HBT發(fā)射極/HEMT柵。利用本發(fā)明，工藝簡單， 成本低，可控性好，制作金屬加厚的T型HBT發(fā)射極/HEMT柵更有優(yōu)勢。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出