| 專利名稱: | 一種雙層結(jié)構(gòu)的微機(jī)電系統(tǒng)微磁執(zhí)行器的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710121076.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-08-29 |
| 專利號(hào): | CN101376491 |
| 第一發(fā)明人: | 易 亮 歐 毅 陳大鵬 景玉鵬 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)微型執(zhí)行器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種雙層結(jié)構(gòu)的 微機(jī)電系統(tǒng)微磁執(zhí)行器的制作方法，該方法包括：A.在硅芯片背面淀積 氮化硅薄膜；B.保護(hù)正面，背面光刻，刻蝕形成氮化硅薄膜窗口；C.在 硅芯片正面淀積一層PSG薄膜，在PSG層上再淀積一層多晶硅薄膜；D. 在多晶硅薄膜上再淀積一層PSG，退火，對(duì)多晶硅薄膜進(jìn)行磷摻雜；E. 去掉PSG，光刻，刻蝕形成執(zhí)行器圖形；F.正面淀積一層氮化硅薄膜， 光刻，刻蝕形成接觸孔；G.正面光刻，打底膠，電子束蒸發(fā)Cr/Au，剝 離形成金屬線圈以及電極；H.腐蝕背面體硅，直到PSG層；I.在HF溶 液中腐蝕PSG層，釋放執(zhí)行器。本發(fā)明簡(jiǎn)化了制作工藝，克服了用于流體 控制的微執(zhí)行器驅(qū)動(dòng)力小的問(wèn)題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出