| 專利名稱: | 一種制備射頻單電子晶體管位移傳感器的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710121365.X |
| 申請日期: | 2007-09-05 |
| 專利號: | CN101381070 |
| 第一發(fā)明人: | 王 琴 賈 銳 李維龍 王從舜 龍世兵 陳寶欽 劉 明 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微納米加工技術領域，公開了一種制備射頻單電子晶體管 位移傳感器的方法，包括：對SOI襯底的頂層硅進行離子注入及快速退火； 在SOI襯底上涂敷雙層電子束抗蝕劑，采用電子束光刻在電子抗蝕劑中形 成由源、漏、庫侖島、隧道結、側柵以及雙端固支梁構成的位移傳感器核 心組件結構；利用電子抗蝕劑掩蔽刻蝕SOI襯底的頂層硅，將電子抗蝕劑 中的圖形轉移到表層硅上；涂敷光學抗蝕劑、光刻，定義各個電極的位置； 沉積金屬電極材料；剝離金屬、合金，形成歐姆接觸的電極；二次電子束 套準曝光，使得雙端固支梁的部分露出窗口；腐蝕犧牲層，使得雙端固支 梁懸空。利用本發(fā)明，具有工藝步驟少、簡單、可靠、能與傳統(tǒng)CMOS 工藝兼容的優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出