| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種納米尺度圖形的制作方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810223398.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-09-27 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101382733 |
| 第一發(fā)明人: | 趙 珉 陳寶欽 劉 明 牛潔斌 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種納米尺度圖形的制作方法，該方法包括以下步驟：A. 對(duì)待處理的襯底進(jìn)行表面清潔及熱處理；B.在襯底表面上涂敷電子束光刻 抗蝕劑層，并進(jìn)行曝光前的預(yù)處理；C.對(duì)上述的電子束光刻抗蝕劑層按照 預(yù)設(shè)的圖形在單線(xiàn)直寫(xiě)曝光模式下進(jìn)行電子束直寫(xiě)曝光；D.對(duì)曝光后的電 子束光刻抗蝕劑進(jìn)行顯影、定影及干燥。本發(fā)明通過(guò)電子束直寫(xiě)單線(xiàn)曝光 模式在抗蝕劑層中形成納米尺度圖形結(jié)構(gòu)，并可以通過(guò)后繼相應(yīng)的圖形轉(zhuǎn) 移工藝實(shí)現(xiàn)納米尺度結(jié)構(gòu)的制作。單線(xiàn)曝光模式避免了通常使用的面曝光 方式中曝光點(diǎn)均勻分布對(duì)圖形分辨率的限制，實(shí)現(xiàn)了在平面上兩個(gè)維度上 對(duì)曝光點(diǎn)分布的靈活調(diào)控，可以達(dá)到電子束直寫(xiě)曝光的極限分辨率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出