| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種電子束對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710121502.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-09-07 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101383268 |
| 第一發(fā)明人: | 李誠(chéng)瞻 黃 俊 鄭英奎 劉果果 和致經(jīng) 魏 珂 劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明涉及寬禁帶半導(dǎo)體材料器件制作技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種電子束 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法，包括：A.對(duì)襯底材料進(jìn)行光刻，同時(shí)形成電子束 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和源漏極圖形，并蒸發(fā)源漏極金屬；B.對(duì)襯底材料進(jìn)行光刻， 在電子束對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記周?chē)纬煞叫螛?biāo)記區(qū)域；C.對(duì)襯底材料進(jìn)行表面刻蝕； D.腐蝕電子束對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的掩膜金屬，形成電子束對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明同 時(shí)公開(kāi)了一種利用電子束對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記制作有效柵線(xiàn)條的方法。利用本發(fā)明， 有效避免了高溫退火中容易發(fā)生形貌變化的金屬對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，利用襯底材料 的高度差作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；同時(shí)解決了多步光刻形成電子束標(biāo)記圖形和源漏 圖形引入的機(jī)械誤差和人為誤差，避免了電子束光刻過(guò)程中出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏 差。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出