| 專利名稱: | 一種制備單電子晶體管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710121366.4 |
| 申請日期: | 2007-09-05 |
| 專利號: | CN101383285 |
| 第一發(fā)明人: | 王 琴 李維龍 賈 銳 劉 明 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種利用 Undercut技術(shù)制備單電子晶體管的方法，在SOI襯底上利用電子束曝光雙 層膠工藝以及Undercut技術(shù)制備單電子晶體管。其主要工藝步驟如下：離 子注入及快速退火；雙層膠電子束光刻，形成單電子晶體管圖形；蒸發(fā)金 屬，剝離干法刻蝕，將圖形轉(zhuǎn)移至SOI的頂層硅上，減小隧道結(jié)尺寸；光 刻；蒸發(fā)金屬，剝離，合金；采用這種方法制備的基于SOI襯底的單電子 晶體管具有工藝難度低，可實行性高，易于大規(guī)模集成的優(yōu)點，并簡化了 制作工藝，解決了在電子束曝光過程中由于鄰近效應(yīng)影響無法實現(xiàn)小尺寸 隧道結(jié)的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出