| 專利名稱: | 一種ZnO背柵納米線場效應(yīng)管的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810223353.2 |
| 申請日期: | 2008-09-26 |
| 專利號: | CN101383291 |
| 第一發(fā)明人: | 付曉君 張海英 徐靜波 黎 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種背柵ZnO納米線場 效應(yīng)管的制備方法。本發(fā)明采用ZnO納米線作為場效應(yīng)晶體管溝道，采用凹槽 和十字兩種方法實現(xiàn)納米線到器件襯底的沉積和定位，采用Ti/Au與ZnO溝道形 成歐姆接觸，常規(guī)Liff-off的方法濺射形成Al2O3柵氧，利用P++型Si襯底作為場效 應(yīng)管背柵。本發(fā)明具有成效明顯，工藝簡單易行，經(jīng)濟(jì)適用和可靠性強(qiáng)的優(yōu)點， 容易在微波、毫米波化合物半導(dǎo)體器件及傳感器的制作中采用和推廣。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出