| 專利名稱: | 多層納米晶浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710121367.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-09-05 |
| 專利號(hào): | CN101383378 |
| 第一發(fā)明人: | 王 琴 管偉華 劉 琦 胡 媛 李維龍 龍世兵 賈 銳 陳寶欽 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種多層納米晶浮柵結(jié) 構(gòu)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，包括：用于支撐整個(gè)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體襯底 11；在半導(dǎo)體襯底11中摻雜形成源極9和漏極10；在源極9和漏極10之 間的溝道12；位于溝道12上的隧穿氧化層13；用于控制多層納米晶浮柵 結(jié)構(gòu)氧化的控制氧化層14；位于控制氧化層14上的柵電極16；位于隧穿 氧化層13與控制氧化層14之間的多層納米晶浮柵結(jié)構(gòu)15，用于作為非揮 發(fā)性存儲(chǔ)器的浮柵存儲(chǔ)單元。本發(fā)明同時(shí)公開了一種制備多層納米晶浮柵 結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法。本發(fā)明解決單層納米晶浮柵存儲(chǔ)器的編程時(shí) 間/電壓與存儲(chǔ)時(shí)間之間的矛盾，在較短的編程時(shí)間前提下提升器件的存儲(chǔ) 時(shí)間。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出