專利名稱: | 多介質(zhì)復(fù)合隧穿層的納米晶浮柵存儲器及其制作方法 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200710121370.0 |
申請日期: | 2007-09-05 |
專利號: | CN101383379 |
第一發(fā)明人: | 胡 媛 劉 明 龍世兵 楊清華 管偉華 李志剛 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
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專利授權(quán)日期: | |
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實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多介質(zhì)復(fù)合遂穿層的納米晶 浮柵存儲器,包括:硅襯底、硅襯底上重?fù)诫s的源和漏導(dǎo)電區(qū)、源漏導(dǎo)電 區(qū)之間載流子溝道上覆蓋的SiO2材料介質(zhì)/高k材料介質(zhì)/高k或SiO2材料 介質(zhì)復(fù)合隧穿層、復(fù)合隧穿層上覆蓋的納米晶浮柵層、納米晶浮柵層上覆 蓋的高k材料或SiO2材料控制柵介質(zhì)層、控制柵介質(zhì)層上覆蓋的柵材料層。 本發(fā)明同時公開了一種多介質(zhì)復(fù)合遂穿層的納米晶浮柵存儲器的制作方 法。本發(fā)明綜合改善了浮柵存儲器的存儲性能,提高了編程/擦除速度和耐 受性、數(shù)據(jù)保持特性,降低了編程/擦除電壓和操作功耗,折衷了編程/擦 除效率和數(shù)據(jù)保持的矛盾,提高了集成度,且制作工藝簡單。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出