最新精品国偷自产在线美女足_国产午夜精华无码网站_天天爱天天做狠狠久久做_国产片免费福利片永久_欧美国产成人精品一区二区三区

專利名稱: 多介質(zhì)復(fù)合隧穿層的納米晶浮柵存儲器及其制作方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200710121370.0
申請日期: 2007-09-05
專利號: CN101383379
第一發(fā)明人: 胡 媛 劉 明 龍世兵 楊清華 管偉華 李志剛
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多介質(zhì)復(fù)合遂穿層的納米晶
浮柵存儲器,包括:硅襯底、硅襯底上重?fù)诫s的源和漏導(dǎo)電區(qū)、源漏導(dǎo)電
區(qū)之間載流子溝道上覆蓋的SiO2材料介質(zhì)/高k材料介質(zhì)/高k或SiO2材料
介質(zhì)復(fù)合隧穿層、復(fù)合隧穿層上覆蓋的納米晶浮柵層、納米晶浮柵層上覆
蓋的高k材料或SiO2材料控制柵介質(zhì)層、控制柵介質(zhì)層上覆蓋的柵材料層。
本發(fā)明同時公開了一種多介質(zhì)復(fù)合遂穿層的納米晶浮柵存儲器的制作方
法。本發(fā)明綜合改善了浮柵存儲器的存儲性能,提高了編程/擦除速度和耐
受性、數(shù)據(jù)保持特性,降低了編程/擦除電壓和操作功耗,折衷了編程/擦
除效率和數(shù)據(jù)保持的矛盾,提高了集成度,且制作工藝簡單。
其它備注: