| 專利名稱: | 一種接收有源區(qū)位于斜面上的光電探測(cè)器的制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710121369.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-09-05 |
| 專利號(hào): | CN101383388 |
| 第一發(fā)明人: | 申華軍 李志華 楊成樾 萬里兮 李寶霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種接收有源區(qū)位于斜面上 的光電探測(cè)器的制造方法，該方法包括：在半導(dǎo)體襯底上濕法腐蝕出深槽 斜面，形成高臺(tái)階圖形襯底；在形成的高臺(tái)階圖形襯底上進(jìn)行探測(cè)器材料 結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)；在完成外延生長(zhǎng)的高臺(tái)階圖形襯底上進(jìn)行微電子工藝制 造，形成接收有源區(qū)位于斜面上的光電探測(cè)器。利用本發(fā)明，可提高光電 探測(cè)器的性能，降低成本，實(shí)現(xiàn)低成本、高效率、簡(jiǎn)便的平面光互聯(lián)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出