| 專利名稱: | 一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器件表面銀電極的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810224032.4 |
| 申請日期: | 2008-10-10 |
| 專利號: | CN101393891 |
| 第一發(fā)明人: | 黃 苒 夏 洋 杜 寰 趙 毅 王曉慧 韓鄭生 潘國順 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅基有 機(jī)發(fā)光微顯示器件表面銀電極的制備方法。為了解決現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光微顯 示器件表面電極不平整的問題，本發(fā)明提供一種硅基有機(jī)發(fā)光微顯示器件表面 銀電極的制備方法，在硅基片基底上依次完成內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路、絕緣層、像素表 面電極下的通孔，然后在整個(gè)表面形成一層絕緣層，光刻后進(jìn)行刻蝕，將像素 區(qū)域的絕緣層去除，露出通孔，保留像素間的絕緣層作為隔離墻進(jìn)行隔離，之 后在表面形成金屬銀層，進(jìn)行CMP工藝，直到隔離墻露出，此時(shí)像素之間隔 離開。本發(fā)明有效的提高了銀與絕緣層的黏附性，在CMP工藝時(shí)不易脫落； 表面銀電極形成大馬士革結(jié)構(gòu)，采用CMP工藝提高表面平整度。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出