| 專利名稱: | 一種雙介質(zhì)層有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710121974.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-09-19 |
| 專利號(hào): | CN101393966 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉 明 涂德鈺 王叢舜 賈 銳 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種雙介質(zhì)層有機(jī)場(chǎng)效 應(yīng)晶體管，該晶體管由下至上依次包括襯底、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、 有源層和源漏電極層，對(duì)于采用公共背柵電極的該晶體管，襯底同時(shí)作為 公共背柵電極，對(duì)于采用獨(dú)立柵電極的該晶體管，在襯底與第一介質(zhì)層之 間還包括一獨(dú)立柵電極，所述第一介質(zhì)層為高介電常數(shù)的氧化物介質(zhì)層， 所述第二介質(zhì)層為低介電常數(shù)的有機(jī)物介質(zhì)層，第一介質(zhì)層位于柵電極與 第二介質(zhì)層之間，第二介質(zhì)層與有源層直接接觸。本發(fā)明同時(shí)公開了一種 雙介質(zhì)層有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法。利用本發(fā)明，解決了使用單層介 質(zhì)膜有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管中存在的問(wèn)題，獲得了高性能的器件，推動(dòng)了有機(jī)電路 的實(shí)用化。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出