| 專利名稱: | 一種消除反應(yīng)離子刻蝕自偏壓的方法及系統(tǒng) |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810223342.4 |
| 申請日期: | 2008-09-26 |
| 專利號: | CN101399184 |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓(xùn)春 王 佳 周宗義 李 兵 王建海 黃清華 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種消除反應(yīng)離子刻蝕自偏壓的方法及系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體加工制造 領(lǐng)域。所述方法是：在反應(yīng)離子刻蝕的反應(yīng)室的兩個(gè)電極間并聯(lián)一個(gè)由電感線圈L和 電容C組成的LC諧振回路，LC諧振回路的諧振頻率與反應(yīng)離子刻蝕的反應(yīng)室的射頻 供電電源的頻率相同。所述系統(tǒng)包括射頻供電模塊、匹配器、等離子設(shè)備和消除自偏 壓模塊。本發(fā)明通過并聯(lián)LC諧振回路，可以使常規(guī)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)生的自偏壓通過 電感通路短路，進(jìn)而使反應(yīng)離子刻蝕的自偏電壓降為零或接近于零，這樣可以有效地 降低在反應(yīng)離子刻蝕時(shí)引入的對半導(dǎo)體晶格造成的損傷。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出