| 專利名稱: | 非揮發(fā)存儲(chǔ)器的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810223341.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-09-26 |
| 專利號(hào): | CN101399208 |
| 第一發(fā)明人: | 朱晨昕 賈 銳 陳 晨 李維龍 李昊峰 王 琴 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種非揮發(fā)存儲(chǔ)器的制備方法，其包括以下步驟：在半 導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜樱徊捎秒娮邮舭l(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿 粉末的混合物蒸發(fā)至該柵氧化層上，再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹪谛纬杉{米晶浮柵層； 在納米晶浮柵層上形成柵電極；以及進(jìn)行源、漏區(qū)摻雜，并進(jìn)行源、漏電 極的形成工序。本發(fā)明提供的三端增強(qiáng)型MOS納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲(chǔ)器 的制備方法工藝過程簡(jiǎn)單，制備成本低，有利于大規(guī)模集成。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出