| 專利名稱: | 非揮發(fā)存儲器的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810223345.8 |
| 申請日期: | 2008-09-26 |
| 專利號: | CN101399209 |
| 第一發(fā)明人: | 朱晨昕 賈 銳 李維龍 陳 晨 李昊峰 王 琴 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種非揮發(fā)存儲器的制備方法，其包括以下步驟：A.在 半導(dǎo)體襯底上注入雜質(zhì)形成溝道層；B.在溝道層上依次生長隧穿氧化層、 納米晶浮柵層、柵氧化層，其中納米晶浮柵層由快速熱退火方法形成；C. 進行形成臺面的工序；D.進行形成柵區(qū)以及分別形成源電極、漏電極和柵 電極的工序。通過采取快速熱退火的方式得到納米晶層，并采用與耗盡型 MOS器件制作工藝相兼容的流程最終可完成三端耗盡型MOS納米晶浮柵型 非揮發(fā)存儲器的制作。該方法簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了 工藝穩(wěn)定性和制備效率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出