| 專利名稱: | 全自對準條型柵功率垂直雙擴散場效應晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710122480.9 |
| 申請日期: | 2007-09-26 |
| 專利號: | CN101399227 |
| 第一發(fā)明人: | 王立新 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體器件及集成電路制造工藝技術(shù)領域，公開了一種制 作全自對準條型柵功率DMOS晶體管的方法，包括：A.在襯底上生長外 延，然后進行場區(qū)氧化，形成場氧化層；B.刻蝕有源區(qū)的場氧化層，進 行柵氧化，淀積多晶硅，對淀積的多晶硅進行摻雜；C.對摻雜后的多晶 硅進行光刻、刻蝕，硼注入，高溫推進形成P-阱區(qū)；D.對多晶硅進行砷 注入形成淺源區(qū)，然后淀積并反刻形成側(cè)墻；E.對多晶硅進行硼注入， 并淀積鈷膜，形成鈷的硅化物，利用鈷的硅化物形成P-阱接觸；F.進行 硼磷硅玻璃淀積，光刻與刻蝕引線孔；G.金屬濺射并進行光刻與刻蝕。 利用本發(fā)明，簡化了制作工藝，降低了制作成本，提高了功率DMOS晶 體管的工作頻率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出