| 專利名稱: | 雙層隧穿介質結構的納米晶浮柵非易失存儲器及制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710122479.6 |
| 申請日期: | 2007-09-26 |
| 專利號: | CN101399289 |
| 第一發(fā)明人: | 胡 媛 劉 明 龍世兵 楊清華 管偉華 李志剛 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術領域，公開了一種雙層隧穿介質結構的納米晶 浮柵非易失存儲器，包括：硅襯底1、硅襯底1上重摻雜的源導電區(qū)7和 漏導電區(qū)8、源漏導電區(qū)之間載流子溝道上覆蓋的SiO2材料隧穿介質層2， SiO2材料隧穿介質層2上覆蓋的高k材料隧穿介質層3、高k材料隧穿介 質層3上覆蓋的納米晶浮柵層4、納米晶浮柵層4上覆蓋的SiO2或高k材 料控制柵介質層5，以及控制柵介質層5上覆蓋的柵材料層6。同時公開 了一種雙層隧穿介質結構的納米晶浮柵非易失存儲器的制作方法。本發(fā)明 改善了浮柵結構非易失存儲器的性能，提高了編程/擦除速度、耐受性和保 持特性，降低了編程/擦除的電壓和功耗，折衷了編程/擦除效率和數(shù)據(jù)保 持的矛盾。 |
| 其它備注: | |
科研產出