| 專利名稱: | 一種垂直溝道有機場效應晶體管及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810225453.9 |
| 申請日期: | 2008-10-31 |
| 專利號: | CN101404321 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 劉 明 涂德鈺 劉 舸 劉興華 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了垂直溝道有機場效應晶體管，屬于有機微電子學領域。該結構包括 絕緣襯底上的金屬源電極、柵介質層、絕緣層、有機半導體層、柵電極和金屬漏電極。 其中長條狀的柵電極被介質層和有機半導體材料包圍在器件的最中心。源電極和漏電 極均為平面電極。通過把溝道方向從水平轉變?yōu)榇怪?，只需要控制薄膜的生長厚度就 能夠有效控制器件的溝道長度，避免了昂貴的電子束光刻，為制備短溝有機場效應晶 體管提供了一個簡便的低成本的方法。本發(fā)明還提供了一種垂直溝道有機場效應晶體 管結構的制備方法。 |
| 其它備注: | |
科研產出