| 專利名稱: | 高密度硅納米晶薄膜的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810224677.8 |
| 申請日期: | 2008-10-23 |
| 專利號: | CN101414552 |
| 第一發(fā)明人: | 陳 晨 賈 銳 李維龍 朱晨昕 李昊峰 劉 明 田繼紅 路 程 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種高密度硅納米晶薄膜的制備方法，包括在硅襯底上 形成二氧化硅層；將一氧化硅作為靶材通過電子束蒸發(fā)法沉積至上述的二 氧化硅層上，形成混合物薄膜層；向上述的混合物薄膜層中注入硅離子；以 及將混合物薄膜層進行退火，形成高密度的硅納米晶薄層。本發(fā)明通過電 子束蒸發(fā)一氧化硅靶材配合離子注入法制備高密度硅納米晶薄膜，具有工 藝步驟簡單、用途多、能與傳統(tǒng)Si基CMOS工藝兼容的優(yōu)點。采用本發(fā)明 提供的方法制備的硅納米晶面密度高達：1012cm-1量級，顆粒直徑在5～8 nm范圍內(nèi)。主要應(yīng)用于硅基第三代太陽能電池芯片關(guān)鍵組件的制備、硅單 電子器件、單電子存儲器、硅納米晶浮柵存儲器的制備等方面，適合大規(guī) 模生產(chǎn)的要求。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出