| 專利名稱: | 一種提高氮化鎵基場效應(yīng)晶體管性能的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710175969.2 |
| 申請日期: | 2007-10-17 |
| 專利號: | CN101414562 |
| 第一發(fā)明人: | 李誠瞻 魏 珂 劉新宇 劉 鍵 劉果果 鄭英奎 王冬冬 黃 俊 和致經(jīng) |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及寬禁帶半導(dǎo)體材料器件制作技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種提高氮 化鎵基場效應(yīng)晶體管性能的方法，該方法包括：在制作氮化鎵基場效應(yīng)晶 體管的過程中，在對氮化鎵基場效應(yīng)晶體管進行鈍化之前，采用混合預(yù)處 理溶液對器件表面進行表面預(yù)處理，然后在進行表面預(yù)處理后的器件表面 淀積氮化硅和富氧氮化硅復(fù)合介質(zhì)層，對氮化鎵基場效應(yīng)晶體管進行鈍 化。利用本發(fā)明，解決了AlGaN表面長期存在的表面原始氧化層，消除 了表面氧化層誘生的AlGaN表面態(tài)，并解決了AlGaN和氮化硅界面存在 的表面態(tài)和表面原始氧化層誘生的電流崩塌效應(yīng)以及常規(guī)鈍化引起的柵 反向漏電大幅度增加的問題，提高了GaN基HEMT的穩(wěn)定性和可靠性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出