| 專利名稱: | 固態(tài)電解液阻變存儲器及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810119971.2 |
| 申請日期: | 2008-10-20 |
| 專利號: | CN101414658 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 管偉華 龍世兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種固態(tài)電解液阻變存儲器及其制備方法，屬于微電子制造及存儲 器技術領域。固態(tài)電解液阻變存儲器包括襯底、絕緣襯底層、粘附層、下電極層、固 態(tài)電解液薄膜、上電極層以及保護層。下電極層的材料為在電場作用下性質(zhì)穩(wěn)定的金 屬或?qū)щ娀衔铮玢K、金、鎢或石墨中；上電極層的材料為在電場作用下易于被氧 化為金屬離子的金屬，如銅、銀、鐵、鋅、鎳、或汞；固態(tài)電解液薄膜的材料為氧化 鋯、氧化鋁、氧化硅、氧化鉿、氧化鎢或氧化鉬中的一種。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單、易 集成、成本低的優(yōu)點。同時本發(fā)明的固態(tài)電解液阻變存儲器制備方法具有工藝簡單、 操作方便并可與傳統(tǒng)的硅平面CMOS工藝兼容的優(yōu)點，有利于廣泛推廣和應用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出