| 專利名稱: | 氮化硅濕法腐蝕方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810224676.3 |
| 申請日期: | 2008-10-23 |
| 專利號: | CN101417890 |
| 第一發(fā)明人: | 陳 晨 賈 銳 朱晨昕 李維龍 李昊峰 王 琴 劉 明 田繼紅 路 程 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明是關(guān)于一種氮化硅濕法腐蝕方法，包括：A.提供一氮化硅層，并 通過光刻法在該氮化硅層上形成具有一次圖形的光刻膠層；B.采用電子束 蒸發(fā)方法蒸發(fā)鉻金屬形成金屬鉻層；C.剝離上述的光刻膠層，在氮化硅層 上形成具有二次圖形的金屬鉻掩蔽層；D.進(jìn)行濕法腐蝕氮化硅層形成三次 圖形；以及E.去除金屬鉻掩蔽層，得到圖形化的氮化硅薄膜。本發(fā)明解決 了選擇性濕法腐蝕氮化硅中，光阻在腐蝕液中被氧化，無法起到刻蝕掩蔽 作用的問題。同時解決了原位沉積氧化硅薄膜，無法對指定區(qū)域進(jìn)行濕法 腐蝕的問題。本方法，大大簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了工 藝穩(wěn)定性和制備效率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出