| 專利名稱: | 利用電子束蒸發(fā)設(shè)備制備硅納米晶體的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710176277.X |
| 申請日期: | 2007-10-24 |
| 專利號: | CN101418467 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 王 琴 涂德鈺 劉 琦 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種利用電子束蒸發(fā)設(shè)備制備 硅納米晶體的方法，該方法包括：在硅襯底上生長二氧化硅層；在該二氧 化硅層上蒸發(fā)一層非晶硅薄膜；對上述形成的包括硅襯底、二氧化硅層和 非晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)進(jìn)行高溫快速熱退火。本發(fā)明提供的這種利用電子束蒸 發(fā)設(shè)備制備硅納米晶體的方法，具有工藝步驟少、簡單、穩(wěn)定可靠、易于 大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出