| 專利名稱: | 一種通過金屬鉻掩蔽膜進行干法刻蝕的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710176278.4 |
| 申請日期: | 2007-10-24 |
| 專利號: | CN101419400 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 劉 明 陳寶欽 龍世兵 謝常青 王 琴 商利偉 涂德鈺 劉 琦 陳 晨 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體學中的微細加工技術領域，公開了一種通過金屬鉻 掩蔽膜進行干法刻蝕的方法，在需要刻蝕圖形的襯底上先旋涂一層電子束 抗蝕劑，然后利用電子束曝光得到所需要的圖形；再蒸發(fā)沉積一層金屬 Cr層，使其覆蓋光刻膠的全部表面；再通過剝離lift-off工藝將金屬Cr剝 離，得到金屬Cr掩蔽圖形；再通過干法刻蝕，在襯底上得到所需要的圖 形，完成對襯底的圖形化。利用本發(fā)明，通過使用金屬掩蔽膜來進行干法 刻蝕，使得掩蔽膜的去除快速、干凈，為干法刻蝕的進一步發(fā)展奠定了重 要的基礎。 |
| 其它備注: | |
科研產出