| 專利名稱: | 嵌入納米晶顆粒的非揮發(fā)電阻轉(zhuǎn)變型存儲器 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710176283.5 |
| 申請日期: | 2007-10-24 |
| 專利號: | CN101420012 |
| 第一發(fā)明人: | 管偉華 劉 明 龍世兵 賈 銳 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子器件及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于二元過渡 族金屬氧化物的嵌入納米晶顆粒的非揮發(fā)電阻轉(zhuǎn)變型存儲器，該存儲器包 括：上導(dǎo)電電極層與下導(dǎo)電電極層；包含在上導(dǎo)電電極層與下導(dǎo)電電極層 之間的二元過渡族金屬氧化物薄膜；在二元過渡族金屬氧化物薄膜中嵌入 的納米晶顆粒。利用本發(fā)明，器件的加工工藝與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，可 以極大的提高器件的產(chǎn)率，為器件的大規(guī)模集成打下基礎(chǔ)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出