| 專利名稱: | 一種制備交叉分子電子器件的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710176280.1 |
| 申請日期: | 2007-10-24 |
| 專利號: | CN101420014 |
| 第一發(fā)明人: | 涂德鈺 劉 明 商立偉 劉新華 謝常青 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子學(xué)與分子電子學(xué)中的微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一 種制備交叉分子電子器件的方法，包括：在基片上淀積一層絕緣介質(zhì)；在 該絕緣介質(zhì)層上旋涂抗蝕劑，在該抗蝕劑上光刻出交叉結(jié)構(gòu)圖形；利用抗 蝕劑作為掩蔽刻蝕該絕緣介質(zhì)層，將交叉結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到絕緣介質(zhì)層上， 然后去除多余的抗蝕劑；沿著交叉結(jié)構(gòu)中線條的一個方向，按一定角度蒸 發(fā)金屬，形成下電極；在下電極上淀積雙穩(wěn)態(tài)分子薄膜；沿著交叉結(jié)構(gòu)中 線條的另一個方向，按一定角度蒸發(fā)金屬，形成上電極。利用本發(fā)明，有 效地改避免金屬剝離工藝對有機分子造成的損傷，同時具有工藝流程簡單 等優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出