| 專利名稱: | 一種有源層圖形化的有機薄膜晶體管的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710176281.6 |
| 申請日期: | 2007-10-24 |
| 專利號: | CN101420015 |
| 第一發(fā)明人: | 甄麗娟 商立偉 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及有機半導(dǎo)體器件及微細加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種有源層 圖形化的有機薄膜晶體管的制備方法，該方法在金屬源漏電極制備完畢之 后采用光刻膠作為掩模版，先用真空蒸鍍法制備有機半導(dǎo)體薄膜層，再在 該有機半導(dǎo)體薄膜層上采用室溫PECVD法制備一層保護層，并使該有機 半導(dǎo)體薄膜層和該保護層厚度之和小于所述金屬源漏電極的厚度，確保去 膠液在去除光刻膠掩模版時不與該有機半導(dǎo)體薄膜層相接觸造成該有機 半導(dǎo)體薄膜層性質(zhì)的破壞。利用本發(fā)明，能夠與傳統(tǒng)IC工藝完全兼容， 所制備的有源層圖形化的有機薄膜晶體管具有關(guān)態(tài)電流小，電流開關(guān)比高 的性質(zhì)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出