| 專利名稱: | 一種通用CMOS MEMS器件電化學腐蝕絕緣保護方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810238812.4 |
| 申請日期: | 2008-12-02 |
| 專利號: | CN101423187 |
| 第一發(fā)明人: | 焦斌斌 俞 挺 陳大鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種通用CMOS MEMS器件電化學腐蝕絕緣保護方法， 具體操作步驟為：1)固定CMOS MEMS器件于封裝盒；2)導通CMOS M EMS器件上與電化學腐蝕相關的焊盤與封裝盒對應的焊盤；3)封固封 裝盒；4)進行腐蝕工藝；5)分離CMOS MEMS器件與封裝盒，獲得 干凈的CMOS MEMS器件。本發(fā)明的優(yōu)點是：1.相對于原有制作特殊抗 腐蝕絕緣夾具的方法本發(fā)明通用方法不需要為每種不同的芯片制作特定 的夾具，具有通用性；2.此方法具有更短的加工周期；3.更低的加工成 本。 |
| 其它備注: | |
科研產出