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專(zhuān)利名稱(chēng): 用于測(cè)試層間介質(zhì)是否產(chǎn)生侵蝕的銅引線(xiàn)電路版圖結(jié)構(gòu)
專(zhuān)利類(lèi)別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200810238813.9
申請(qǐng)日期: 2008-12-02
專(zhuān)利號(hào): CN101424654
第一發(fā)明人: 范雪梅 趙超榮 杜 寰 胡云中 雒建斌
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專(zhuān)利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專(zhuān)利證書(shū)號(hào):
專(zhuān)利摘要: 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于測(cè)試層間介質(zhì)是否產(chǎn)生侵蝕的銅引線(xiàn)電路版
圖結(jié)構(gòu),所述銅引線(xiàn)電路版圖包括一個(gè)由多根寬度相等的、等間隔排列的
銅引線(xiàn)構(gòu)成的銅電阻陣列,銅引線(xiàn)的根數(shù)大于3,所述銅電阻陣列中銅引
線(xiàn)首尾相串聯(lián),所述銅電阻陣列首尾端分別設(shè)置有一個(gè)電流引出端口,銅
電阻陣列中至少有三條長(zhǎng)度相等的銅引線(xiàn),每個(gè)長(zhǎng)度相等的銅引線(xiàn)兩端分
別設(shè)置有一個(gè)電壓引出端口。本發(fā)明可以用于電學(xué)測(cè)量銅引線(xiàn)在CMP過(guò)
程后銅引線(xiàn)層間介質(zhì)是否產(chǎn)生侵蝕現(xiàn)象。此方法結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,占用版圖面積
小,便于嵌入版圖中,實(shí)驗(yàn)測(cè)量方便。采用這種電學(xué)方法來(lái)測(cè)量,不受線(xiàn)
條尺寸的影響,可以方便地對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行測(cè)量,很好地驗(yàn)證芯片CMP
的均勻性。
其它備注: