| 專利名稱: | 電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器及其制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810238945.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-12-05 |
| 專利號(hào): | CN101425559 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 明 李穎弢 龍世兵 王 琴 王 艷 劉 琦 張 森 左青云 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明提供一種非易失性電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器，其中在電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層與 電極之間設(shè)置有緩沖層，從而能夠增加存儲(chǔ)器的總電阻，進(jìn)而減小存儲(chǔ)器的 工作電流，而且緩沖層還可改善界面處的勢(shì)壘高度，從而降低存儲(chǔ)器的工作 電壓，進(jìn)而降低存儲(chǔ)器的功耗。本發(fā)明提供的具有緩沖層結(jié)構(gòu)的電阻轉(zhuǎn)變型 存儲(chǔ)器制造工藝簡(jiǎn)單、制作成本低并且與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容。相應(yīng)地，本 發(fā)明還提供一種制造非易失性電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的方法。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出