最新精品国偷自产在线美女足_国产午夜精华无码网站_天天爱天天做狠狠久久做_国产片免费福利片永久_欧美国产成人精品一区二区三区

專利名稱: 一種納米級(jí)溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200810227456.6
申請(qǐng)日期: 2008-11-25
專利號(hào): CN101425562
第一發(fā)明人: 商立偉 劉 明 涂德鈺 劉 舸 劉興華
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明屬于有機(jī)電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種納米級(jí)溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體
管及其制備方法。為了克服現(xiàn)有技術(shù)中成本高的缺陷，本發(fā)明提供一種納米級(jí)
溝道有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括絕緣襯底上的源電極、絕緣層、漏電極、有機(jī)半
導(dǎo)體層、柵介質(zhì)層和柵電極，所述源電極、有機(jī)半導(dǎo)體層、柵介質(zhì)層和柵電極
從左至右依次設(shè)置在絕緣襯底的上表面上；所述源電極上方從下到上依次設(shè)有
絕緣層和漏電極，分別與有機(jī)半導(dǎo)體層接觸；所述源電極、絕緣層和漏電極合
起來的厚度與有機(jī)半導(dǎo)體層、柵介質(zhì)層和柵電極的厚度相同。本發(fā)明通過控制
絕緣層的厚度來控制器件的溝道長(zhǎng)度，避免了昂貴的電子束光刻，大幅度地降
低制備納米級(jí)溝道有機(jī)晶體管的難度，從而減少了制備的成本。
其它備注: