| 專利名稱: | 用于電子束光刻剝離的去除雙層膠的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710176930.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-07 |
| 專利號(hào): | CN101430503 |
| 第一發(fā)明人: | 涂德鈺 劉 明 謝常青 劉新華 商立偉 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種用于電子束光刻剝離的去除雙層膠的方法，包括： 清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蝕劑作為雙層膠的底層膠，烘 干；在LOR層上旋涂ZEP520型電子束抗蝕劑作為頂層膠，前烘；電子束 光刻，對(duì)頂層膠進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的頂層膠進(jìn)行顯影、定影，吹干，得 到頂層膠光刻圖形；利用頂層膠光刻圖形做掩蔽，使用LOR腐蝕劑對(duì)底 層膠進(jìn)行腐蝕，得到所需的內(nèi)切圖形；在得到的內(nèi)切圖形上蒸發(fā)金屬；依 次去除頂層膠與底層膠，完成剝離工藝，得到所需金屬圖形。利用本發(fā)明， 解決了雙層膠的內(nèi)切結(jié)構(gòu)變得模糊不清的問題，具有分辨率高、可靠性高、 重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)，在納米電子器件制備中有著廣泛的應(yīng)用前景。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出