| 專利名稱: | 一種微尖端陣列器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710176936.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-07 |
| 專利號(hào): | CN101430938 |
| 第一發(fā)明人: | 陳大鵬 傅劍宇 景玉鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子技術(shù)中的深亞微米、納米加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一 種微尖端陣列器件，該器件由微尖端陣列、COMS控制電路單元和連接柱 構(gòu)成；微尖端陣列包括多個(gè)微尖端，每個(gè)微尖端通過一個(gè)連接柱與COMS 控制電路單元進(jìn)行機(jī)械和電學(xué)連接；COMS控制電路單元用于控制微尖端 陣列中微尖端進(jìn)行獨(dú)立工作；連接柱用于實(shí)現(xiàn)微尖端陣列中微尖端與 CMOS控制單元的機(jī)械和電學(xué)連接。本發(fā)明同時(shí)公開了一種微尖端陣列器 件的制作方法。利用本發(fā)明，通過CMOS電路控制金屬尖端場(chǎng)致發(fā)射電子 束，實(shí)現(xiàn)了高分辨率納米級(jí)圖形加工和高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，并通過微尖端陣 列化解決了單探針工作效率低的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出