| 專利名稱: | 增強(qiáng)型背柵氧化鋅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810227461.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-11-25 |
| 專利號(hào): | CN101431028 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 黎 明 付曉君 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及增強(qiáng)型背柵氧化鋅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。該制 備方法包括：在P+-Si襯底的正面生長(zhǎng)柵氧介質(zhì)SiO2；在P+-Si襯底的背面 形成背柵電極；在P+-Si襯底的正面形成定位標(biāo)記；在P+-Si襯底的正面完 成氧化鋅納米線的轉(zhuǎn)移和淀積；在P+-Si襯底的正面完成納米線的定位；在 P+-Si襯底的正面制作源漏電極；退火處理。本發(fā)明提供的增強(qiáng)型背柵氧化 鋅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法，實(shí)現(xiàn)了閾值電壓大于零伏的增強(qiáng)型背柵氧 化鋅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出