| 專利名稱: | 一種制作自隔離電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710176935.5 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-07 |
| 專利號(hào): | CN101431144 |
| 第一發(fā)明人: | 管偉華 龍世兵 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微電子制造及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種制作自隔離電 阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的方法，包括：A.在絕緣襯底上形成導(dǎo)電薄膜作為下電 極；B.在形成下電極的結(jié)構(gòu)上涂敷光刻膠；C.通過(guò)光刻方法在上述光刻 膠上定義器件的大?。籇.依次生長(zhǎng)具有電阻轉(zhuǎn)變特性的材料和上電極；E. 通過(guò)剝離光刻膠的方法釋放器件。本發(fā)明提供的這種采用一步剝離工藝制 作自隔離電阻轉(zhuǎn)變型存儲(chǔ)器的方法，具有成本低，制作流程簡(jiǎn)單，能實(shí)現(xiàn) 存儲(chǔ)器器件單元自隔離的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出