| 專利名稱: | 基于多晶硅PN結的非制冷紅外探測器陣列及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810239363.5 |
| 申請日期: | 2008-12-11 |
| 專利號: | CN101435722 |
| 第一發(fā)明人: | 何 偉 明安杰 薛惠瓊 焦斌斌 歐 毅 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種基于多晶硅PN結溫度特性的非制冷紅外探測器陣列及 其制備方法。該陣列的制備方法包括：步驟A.深槽刻蝕，填充及平坦化， 以在橫向劃分紅外探測單元；步驟B.在底硅層正面淀積埋氧層和頂硅層； 步驟C.在每一紅外探測單元中的頂硅層正面形成絕緣隔離槽及制作絕熱懸 臂梁上的多晶硅導線；步驟D.在每一紅外探測單元中的頂硅層設置數(shù)個串 聯(lián)的多晶硅PN結；步驟E.形成雙層金屬布線；步驟F.在每一紅外探測單 元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅層，形成所述空腔。本發(fā)明利用 多晶硅PN結的良好的溫度特性，通過測量多晶硅PN結兩端的電壓的變化， 以獲得紅外輻射強弱的探測結果。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出