| 專利名稱: | 一種單電子器件的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810239884.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-12-19 |
| 專利號(hào): | CN101436543 |
| 第一發(fā)明人: | 李維龍 賈 銳 陳 晨 朱晨昕 李昊峰 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及納米器件制作技術(shù)領(lǐng)域的一種單電子器件的制備方法。為了解 決現(xiàn)有單電子器件制備技術(shù)中過(guò)于依賴電子束光刻，增加了電子束光刻難度的 缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種單電子器件的制備方法，采用電子束光刻技 術(shù)制作電極圖形，通過(guò)電子束蒸發(fā)手段制備薄層硅，然后通過(guò)快速退火技術(shù)將 表面的薄層硅制作成硅量子點(diǎn)。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單，能與傳統(tǒng)的微電子工藝 兼容。使用本發(fā)明方法制備的單電子器件具有很大的一致性，且操作電壓低、 功耗小。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出