| 專利名稱: | 基于單晶硅PN結(jié)的非制冷紅外探測器陣列及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200810240275.7 |
| 申請日期: | 2008-12-18 |
| 專利號: | CN101441112 |
| 第一發(fā)明人: | 何 偉 明安杰 薛惠瓊 焦斌斌 歐 毅 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一種基于單晶硅PN結(jié)溫度特性的非制冷紅外探測器陣列及 其制備方法。該陣列的制備方法包括：步驟A.硅片氧化還原，在縱向形成 所述底硅層，埋氧層與頂硅層，同時通過底硅刻蝕，形成深槽，填充及平坦 化，以在橫向劃分紅外探測單元；步驟B.在每一紅外探測單元中的頂硅層 設(shè)置數(shù)個串聯(lián)的單晶硅PN結(jié)；步驟C.在每一紅外探測單元中形成所述電氣 連接布線，在所述單晶硅PN結(jié)與所述電氣連接線上形成鈍化層；步驟D、 在每一紅外探測單元中制作懸空的絕熱懸臂梁，刻蝕所述底硅層，形成所述 空腔。本發(fā)明利用單晶硅PN結(jié)的良好的溫度特性，通過測量單晶硅PN結(jié)兩 端的電壓的變化，以獲得紅外輻射強(qiáng)弱的探測結(jié)果。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出