| 專利名稱: | 一種制作納米級圖形的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710177797.2 |
| 申請日期: | 2007-11-21 |
| 專利號: | CN101441410 |
| 第一發(fā)明人: | 傅劍宇 陳大鵬 景玉鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制作納米級圖形的方法，該納米級圖形是將圖形數(shù) 據(jù)轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制信號控制微動臺二維x-y方向的運(yùn)動和金屬尖端電壓的加 載，利用尖端加載電壓后產(chǎn)生的電子束對電子抗蝕劑進(jìn)行曝光獲得的，包 括：在樣品表面涂上一層電致抗蝕劑薄膜，在微動臺上固定金屬微尖端； 將涂有電致抗蝕劑薄膜的樣品加載到微動臺上，與微尖端保持一定的距 離；將裝載有金屬尖端和樣品的微動臺放置到真空腔體中，并利用真空泵 對腔體抽真空；利用軟件編程將被加工圖形數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制信號，用該 二進(jìn)制碼控制微動臺做二維x-y方向的運(yùn)動，并給金屬微尖端加載電壓， 通過在強(qiáng)電場下尖端發(fā)射的低能電子束對電子抗蝕劑進(jìn)行曝光；對曝光后 的樣品進(jìn)行顯影、定影。本發(fā)明有效地解決了浸沒式光刻成本高和聚焦電 子束存在鄰近效應(yīng)影響分辨率的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出