| 專利名稱: | 基于場致電子發(fā)射原理的微尖端陣列器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710177795.3 |
| 申請日期: | 2007-11-21 |
| 專利號: | CN101441962 |
| 第一發(fā)明人: | 傅劍宇 陳大鵬 景玉鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種基于場致電子發(fā)射原理的微尖端陣列器件，由氮化 硅薄膜隔離端1、附著有低功函數(shù)金屬的微尖端2和布有金屬導線的布線 凹槽3構(gòu)成。其中，隔離端1用于在器件工作時避免微尖端與被加工材料 接觸，控制微尖端與被加工材料表面的距離；微尖端2用于根據(jù)尖端放電 的原理，當在焊盤與所要加工的材料之間加上一微小電壓時，尖端處產(chǎn)生 很強的電場，造成大量電子穿透勢壘逸出；布線凹槽3用于附著或容納作 為導線的金屬，作為線路通道實現(xiàn)對各個微尖端的控制。本發(fā)明同時公開 了基于場致電子發(fā)射原理的微尖端陣列器件的制作方法。利用本發(fā)明，實 現(xiàn)了高分辨率納米級圖形加工和高密度數(shù)據(jù)存儲，解決了單探針工作效率 低的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出