| 專利名稱: | 實(shí)現(xiàn)單片集成GaAs基E/D MHEMT的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710177790.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-21 |
| 專利號(hào): | CN101442025 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)單片集成GaAs基E/D MHEMT的方法流 程圖，該方法利用常規(guī)D MHEMT外延材料，在常規(guī)D MHEMT外延 材料上依次進(jìn)行如下工藝步驟：源漏制作、臺(tái)面隔離、增強(qiáng)柵光刻、 增強(qiáng)型柵槽腐蝕、蒸發(fā)Pt/Ti/Pt/Au作為增強(qiáng)型柵金屬、耗盡型柵光刻、 耗盡型柵槽腐蝕、蒸發(fā)Ti/Pt/Au作為耗盡型柵金屬、退火處理、金屬 布線和金屬剝離，實(shí)現(xiàn)單片集成砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型MHEMT。利用 本發(fā)明，達(dá)到了利用常規(guī)D MHEMT外延材料實(shí)現(xiàn)單片集成GaAs基 E/D MHEMT的目的。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出