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專利名稱: 砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200710177794.9
申請日期: 2007-11-21
專利號: CN101442070
第一發(fā)明人: 徐靜波 張海英 葉甜春
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材
料結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由在砷化鎵襯底上依次生長的晶格應(yīng)變層InxAl1-xAs、溝
道下勢壘層In0.52Al0.48As、溝道層In0.53Ga0.47As、空間隔離層In0.52Al0.48As、
平面摻雜層、第一勢壘層In0.52Al0.48As、第一腐蝕截止層InP、第二勢壘層
In0.52Al0.48As、第二腐蝕截止層InP和高摻雜蓋帽層In0.53Ga0.47As構(gòu)成。利
用本發(fā)明,達(dá)到了在同一塊GaAs襯底上同時制備增強(qiáng)型和耗盡型
MHEMT器件和電路的目的,并提高了MHEMT器件功率性能。
其它備注: