專利名稱: | 砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu) |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200710177794.9 |
申請日期: | 2007-11-21 |
專利號: | CN101442070 |
第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材 料結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)由在砷化鎵襯底上依次生長的晶格應(yīng)變層InxAl1-xAs、溝 道下勢壘層In0.52Al0.48As、溝道層In0.53Ga0.47As、空間隔離層In0.52Al0.48As、 平面摻雜層、第一勢壘層In0.52Al0.48As、第一腐蝕截止層InP、第二勢壘層 In0.52Al0.48As、第二腐蝕截止層InP和高摻雜蓋帽層In0.53Ga0.47As構(gòu)成。利 用本發(fā)明,達(dá)到了在同一塊GaAs襯底上同時制備增強(qiáng)型和耗盡型 MHEMT器件和電路的目的,并提高了MHEMT器件功率性能。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出