| 專利名稱: | 一次掩膜光刻同時(shí)定義有機(jī)薄膜晶體管源漏柵電極的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710177796.8 |
| 申請日期: | 2007-11-21 |
| 專利號: | CN101442104 |
| 第一發(fā)明人: | 甄麗娟 商立偉 劉興華 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，利用一次掩膜光刻同 時(shí)定義出有機(jī)薄膜晶體管的源漏柵電極，包括：在襯底正面形成具有透光 性的有機(jī)絕緣柵介質(zhì)層；用保護(hù)卡具保護(hù)有機(jī)絕緣柵介質(zhì)層，腐蝕襯底的 背面至介質(zhì)層鏤空；在有機(jī)絕緣層正面和背面涂光刻膠，從正面對光刻膠 進(jìn)行曝光，同時(shí)曝光背面光刻膠，在顯影液中顯影，形成源漏電極的正性 光刻膠掩模版和柵電極的負(fù)性光刻膠掩模版；在有機(jī)絕緣介質(zhì)層正面、正 性光刻膠掩模版、有機(jī)絕緣介質(zhì)層背面和負(fù)性光刻膠掩模版上形成金屬 層，剝離形成源、漏、柵電極；在有機(jī)絕緣介質(zhì)層正面，源漏電極上形成 有機(jī)半導(dǎo)體層。本發(fā)明能夠與傳統(tǒng)的硅平面工藝兼容，制備的有機(jī)薄膜晶 體管器件寄生電容小高頻特性好。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出