| 專利名稱: | 改善微機(jī)械非制冷紅外成像芯片中反光板平整度的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710178317.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-11-28 |
| 專利號(hào): | CN101446758 |
| 第一發(fā)明人: | 歐 毅 史海濤 陳大鵬 景玉鵬 李超波 焦斌斌 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種改善微機(jī)械非制冷紅外成像芯片中反光板平整 度的方法，包括：在硅襯底正面涂光學(xué)光刻膠，光刻曝光出反光板加 強(qiáng)筋圖形；刻蝕硅襯底上的反光板加強(qiáng)筋圖形；在硅襯底雙面生長(zhǎng)氮 化硅；在硅襯底背面涂光學(xué)光刻膠，光刻曝光得到背面腐蝕窗口圖形； 刻蝕背面腐蝕窗口的氮化硅；在硅襯底正面套版光刻出反光板及回折 梁圖形，蒸發(fā)金屬鉻層并超聲剝離；刻蝕硅襯底正面的氮化硅；去除 作為掩蔽層的金屬鉻，得到反光板和回折梁圖形；在硅襯底正面套刻 反光板圖形，在曝光顯影后蒸發(fā)鉻/金，超聲剝離；在硅襯底正面套刻 回折梁圖形，在曝光顯影后蒸發(fā)鉻/金，超聲剝離；去除反光板和回折 梁下方的硅襯底，釋放結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提高了最終的紅外成像效果。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出